Методики лаборатории электронно-микроскопических исследований структуры облученных материалов
- Определение качественного и количественного химического состава образцов в весовых и атомных процентах;
- Получение информации о всех типа дефектов кристаллического строения: дислокации, дисклинации, двойники, фазы ,поры и др.;
- Получение информации о структуре, образовавшейся при различных видах фазовых превращений и деформации: размер, морфология, ориентация, состав, кристаллическое строение и другие виды дефектов;
- Получение изображения поверхности с высоким разрешением: режим SEI, Topo, Compo;
- Анализ распределения элементов вдоль линии;
- Составление карт распределения заданных элементов (картирование);
- Ускоритель ЕСУВИ с направляющим устройством ионов и полым источником газовых ионов магнетронного типа, который позволяет облучать конструкционные материалы тяжелыми ионам, также ионами газа.
