Деякі ПУБЛІКАЦІЇ і ПАТЕНТИ останніх
років
Розробка питань теорії
дистиляційного і кристаллизационного рафінування, комп'ютерне моделювання
температурних умов вирощування монокристалів і їх властивостей,
експериментальні дослідження
-
Г.Ф. Тихинский, Г.П. Ковтун, В.М. Ажажа. Получение сверхчистых редких металлов.
Монография. М., Металлургия, 1986, 160 с.
-
В.М. Ажажа, Г.Ф. Тихинский, Г.П. Ковтун.
Получение и металлофизика особо чистых металлов.
// Металлофизика и новейшие технологии, 2000, т.22, №2, с.21-35.
-
A.I. Kravchenko.
Simple substances refining: efficiency of distillation methods // Functional Materials, 2000 - V. 7. - N. 2. - P. 315-318.
-
Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко,
А.П. Щербань.
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
//Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, №3, с. 6-8.
-
L.N.Davydov, O.A. Datsenko, A.I. Kondrik at al.
Numerical simulation of CdZnTe semiconductor resistivity as a function of the impurity composition. // Functional Materials, 2001, v.8, №2, p.228-232.
-
В.М. Ажажа, И.М. Неклюдов, Г.П. Ковтун.
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники.
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
2002, №6, с.3-6.
-
А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун. Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений //
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
, 2003, №6, с.3-6
-
Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, В.Д. Вирич.
Получение цинка высокой чистоты сочетанием дистилляционного и кристаллизационного методов очистки.
// Вісник Хар. Нац. Університету, №619 Серія фізична "Ядра, частки, поля" 2004, вып.1(23), с. 95-104.
-
Г.П. Ковтун, А.П. Щербань.
Получение кадмия высокой чистоты для микроэлектоники.
//
Вісник Хар. Нац. Університету, №642 Серія фізична "Ядра, частки, поля" 2004, вып.3(25), с. 27-34.
-
Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, О.А. Даценко.
Классификация поведения примесей в цинке, кадмии и теллуре при кристаллизации.
// ВАНТ. Серия: "Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники", (14). 2004, №6, с. 16-20.
-
Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань.
Технологические приёмы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004. - № 6, с. 3-6.
-
А.И. Кондрик.
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов
γ-излучения на его основе
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004. - № 6, с. 17-22.
-
Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик.
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005. - № 3, с. 5-7.
-
Г.П. Ковтун, А.И. Кондрик, А.П. Щербань.
Влияние условий направленной кристаллизации на глубокую очистку металлов.
//Вопросы атомной науки и техники. Сер."Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники".- 2007. - № 4(16),
с. 19-23.
-
А.И. Кравченко.
Уравнение распределения примеси в твёрдом дистилляте
//Неорганические материалы, 2007. T.
43. № 8, с. 1021-1022.
-
A.I. Kravchenko.
On combination of floating-zone recristallization with other purification methods // Functional Materials, 2007 - V. 14. - N. 2. - P. 266-268.
-
А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун.
Сплавы на основе ванадия в термоядерной энергетике.
// Вісник Хар. Нац. Університету, №823 Серія фізична "Ядра, частки, поля" 2008, вып. 3(39), с.4-24.
-
Г.П. Ковтун
Зонные технологи в
материаловедении
//
Неорганическое материаловедение. Материалы и технологии.
т.2., кн.1,
Киев,
Наукова думка, 2008; с. 347-357.
-
G.P. Kovtun, A.P. Shcherban', D.A. Solopikhin, V.G. Glebovsky.
Production of high-purity metals. Proceedings of the 1st International Workshop Radiopure Scintillators for EURECA, RPScint' 2008. p.54-58.
-
Р. Бернабей, В.Д. Вирич, Б.В. Гринев, Ф.А. Даневич, Г.П. Ковтун и др. Получение Cd и
106Cd высокой чистоты для сцинтилляторов
CdWO4 и 106CdWO4 // Металлофизика и новейшие технологии, 2008, т. 30, спецвыпуск, с.477-486.
-
G.P. Kovtun, A.P. Shcherban', D.A. Solopikhin, V.D. Virich, V.G. Glebovsky.
Purification of cadmium and lead for low-background scintillators. Proceedings of the 1st International Workshop Radiopure Scintillators for EURECA, RPScint' 2008, p. 59-63.
-
A.I. Кравченко.
Дистилляция с вытягиванием дистиллята: новый способ рафинирования
// Вопросы атомной науки и техники, 2008. № 1 Серия: "Вакуум, чистые мат., сверхпроводники" (17), - С. 18-19.
-
В.Г. Глебовский, Г.П. Ковтун, Н.К. Ковтун, Е.Д. Штинов. Исследование процессов получения и особенностей свойств высокочистого вольфрама // Вісник Хар. Нац. університету, №845, Серія фізична "Ядра, частинки, поля", 2009, вип. 1 (41), с.67-70.
-
А.И. Кравченко. Дистилляционное устройство. Патент Украины № 485 - Бюл. № 1, 2000 г.
-
Г.П. Ковтун, О.П. Щербань. Пристрій для рафінування металів дистиляцією у вакуумі: Патент №1246, Україна, С22В9/04,
C22B9/187, Бюл. № 5, 2002.
-
Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, Ю.Є. Ніколаєнко. Спосіб одержання монокристалів арсеніду галію: Деклараційний патент №64602 А, Україна. Заявл. 15.07.2003 №2003076607. Бюл.№2, 2004.
-
С.Б. Берінгов, Ю.Г. Шульга, Т.В. Власенко, Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, Ю.В. Горбенко. Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію. Патент на винахід №77874 Україна. Заявка № 200505239. Опубл. 15.01.2007, Бюл.№1.
-
С.Ю. Ларкін, Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, О.І. Кравченко. Спосіб рафінування цинку: Патент № 4703, Україна, С22В9/04, С22В9/187, Бюл. № 1, 2005.
-
С.Ю. Ларкін, Г.П. Ковтун, О.П. Щербань. Спосіб рафінування металів: Патент № 22541, Україна, С22В9/04, С22В9/187, Бюл. № 4, 2007.
-
Г.П. Ковтун, О.І. Кравченко Спосіб рафінування галію. Деклараційний патент №22877 на корисну модель, Україна. Заявл. 28.12.2006. №200614026 Опубл. 25.04.2007.
-
Г.П. Ковтун, А.П. Щербань,
Д.А. Солопихин, А.П. Свинаренко, В.Д. Вирич, Е.П. Кисиль, Л.И. Филлипович.
Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента
детекторов ионизирующих излучений. // Вопросы
атомной науки и техники. Сер.
“Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники”. – 2008. – № 1(17 ). –
C. 20–23.
-
Г.П.
Ковтун,
А.И.
Кондрик,
О.А.
Даценко,
А.П.
Щербань.
Современные материалы для термоядерной
энергетики. // Препринт ХФТИ, Харьков:ННЦ ХФТИ, 2008 . –88 с.
-
Г.П. Ковтун, А.И. Кондрик.
Сплавы на основе ванадия в термоядерной энергетике. // Вісник Хар. Нац.
Університету, №823 Серія фізична “Ядра, частки, поля” 2008, вып.3(39), с.4-24.
-
Г.П. Ковтун, Р. Бернабей,
В.Д. Вирич, Б.В. Гринев, Ф.А. Даневич и др. Получение
Cd
и 106Cd высокой чистоты для сцинтилляторов
CdWO4 и 106CdWO4. //
Металлофиз. новешие технол, 2008, т. 30, спецвыпуск, с.477-486
-
В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун,
Д.А. Солопихин, А.П. Щербань. Высокочистые металлы для микро- и наноэлектоники.
// Перспективные материалы, 2008, №6, с. 33-37.
-
Г.П. Ковтун, В.Г.
Глебовский, Е.Д. Штинов, Н.С. Сидоров. Исследование процессов получения
высокочистого вольфрама. // Перспективные материалы, 2008, №6, с. 38-40.
-
В.М. Ажажа, В.Я.Свердлов,
А.Н. Ладыгин, А.П. Щербань, А.В. Богуслаев, В.В. Клочихин. Процессы
самоорганизации при формировании ячеистой структуры
Ni-W
сплавов. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.
- № 2, 2008,
С. 88-97.
-
Г.П. Ковтун, В.Г.
Глебовский, Н.Г. Ковтун, Е.Д. Штинов. Исследование процессов получения и
особенностей свойств высокочистого вольфрама.//
Вісник Хар. Нац. Університету,
№845 Серія фізична
“Ядра, частки, поля”2009, вып.1(41, с.67-70.
-
Кравченко
А.И.
Comparison of
refining
by distillation and
crystallization.//Functional
Materials, 2009-V. 16-N.1- P. 101-104.
-
Г.П.Ковтун,
А.А.Веревкин
Наноматериалы: технологии и
материалловедение//
Препринт ХФТИ Харьков:
ННЦ ХФТИ,
2010.– 73с.
-
Н.А. Азаренков, В.Н. Воеводин,
Г.П. Ковтун,
В.Г.Кириченко Наноструктурные материалы в
ядерной энергетике// Вісник Хар. Нац. Університету, №887 Серія фізична “Ядра,
частки, поля” 2010, вып.1(45), с.4-24.
-
P.
Belli, R. Bernabei, ... G.P. Kovtun, ... A.P. Shcherban, ...
D.A.
Solopikhin et al.
Development of enriched
106CdWO4 crystal scintillators to
search for double
β
decay processes in 106Cd // Nuclear Instruments and Methods in
Physics Research A 615 (2010) 301-306.
-
R. S. Boiko , V. D. Virich , F. A.
Danevich , T. I. Dovbush, S. S. Nagornyi, S. Nisi, A. I. Samchuk, G.P. Kovtun,
D. A. Solopikhin , and A. P. Shcherban’,
Ultrapurification of Archaeological Lead// INORGANIC
MATERIALS, 2011, Vol. 47, No. 6, р.645-648
-
Г.П.
Ковтун,
А.П.
Щербань,
Д.А.Солопихин,
В.И.
Зеленская,
Ф.А.
Даневич и др.
Высокочистые материалы для разработки низкофоновых сцинтилляторов//
Перспективные материалы, спецвыпуск, 2011, с. 1-6
-
А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун Расчет эффективности
сбора зарядов в датчиках ионизирующих излучений на основе GaAs, CdTe, CdZnTe//
Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. Випуск 4/2011 (69). Частина 1.
Нанотехнології та нові матеріали. С.82–85
-
Ю.П. Бобров, В.Д. Вирич, Г.П.
Ковтун и др.
Рафинирование рутения методом электронно-лучевой плавки//
Вопросы
атомной науки и техники. Сер. “Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники”. –
2011. – № 6(76). – C. 11–17.
-
Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, Д.О.
Солопіхін Пристрій для рафінування металів у вакуумі// Патент на винахід №
94547. Україна Заявл. 21.06.2010 № а201007761 Опубл. 10.05.2011 Бюл. № 9, 2011
-
A.S.
Barabash, P.
Belli,
...
G.P.
Kovtun, ... A.P. Shcherban, ...
D.A.
Solopikhin et al. Low background detector with enriched 116CdWO4
crystal scintillators to search for double
β
decay of 116Cd// JINST (Journal of Instrumentation)
06(2011)P08011,
24
p.
-
А.И. Кондрик, О.А. Даценко, Г.П. Ковтун –
Температурные поля в
растущем кристалле «солнечного» кремния. //
Технология и конструирование в
электронной аппаратуре (ТКЭА), 2012 г., №3, с.21-25
-
А.И. Кондрик –
Эффективность сбора зарядов в датчиках
γ-излучений с различной
конфигурацией электродов
// Технология и конструирование в электронной
аппаратуре (ТКЭА), 2012 г., №4, с. 47- 51.
-
А. И. Кондрик, Д.
А. Солопихин, А. П. Щербань
Рафинирование
Cd
и
Zn
от примесей внедрения при дистилляции с геттерным фильтром
ZrFe
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре, №5. – 2013.
-
С.
31-36.
-
P.
Belli,
R.
Bernabei
...
G.P.
Kovtun, ... A.P. Shcherban, ...
D.A.
Solopikhin et al.
First
search for double
-b
decay of
184Os
and
192Os.//
European Physical Journal A.
2013,
v.49,
#24,
p.
1-6. -
A. P. Shcherban,
O. A. Datsenko, G. P. Kovtun.
Construction of
Solidus Lines of Binary Metal Systems Having a Low Solubility of
Components in the Solid Phase.
Open Journal of Metal, 2014, 4, 65-71.
http://dx.doi.org/10.4236/ojmetal.2014.43008
|