Деякі ПУБЛІКАЦІЇ і ПАТЕНТИ останніх років

Розробка питань теорії дистиляційного і кристаллизационного рафінування, комп'ютерне моделювання температурних умов вирощування монокристалів і їх властивостей, експериментальні дослідження
 

  1. Г.Ф. Тихинский, Г.П. Ковтун, В.М. Ажажа. Получение сверхчистых редких металлов. Монография. М., Металлургия, 1986, 160 с.

  2. В.М. Ажажа, Г.Ф. Тихинский, Г.П. Ковтун. Получение и металлофизика особо чистых металлов. // Металлофизика и новейшие технологии, 2000, т.22, №2, с.21-35.

  3. A.I. Kravchenko. Simple substances refining: efficiency of distillation methods // Functional Materials, 2000 - V. 7. - N. 2. -  P. 315-318.

  4. Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко,   А.П. Щербань. Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники //Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, №3, с. 6-8.

  5. L.N.Davydov, O.A. Datsenko, A.I. Kondrik at al. Numerical simulation of CdZnTe semiconductor resistivity as a function of the impurity composition. // Functional Materials, 2001, v.8, №2, p.228-232.

  6. В.М. Ажажа, И.М. Неклюдов, Г.П. Ковтун. Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002, №6, с.3-6.

  7. А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун. Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений // Технология и конструирование в электронной аппаратуре , 2003, №6, с.3-6

  8. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, В.Д. Вирич. Получение цинка высокой чистоты сочетанием дистилляционного и кристаллизационного методов очистки. // Вісник Хар. Нац. Університету, №619 Серія фізична "Ядра, частки, поля" 2004, вып.1(23), с. 95-104.

  9. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань. Получение кадмия высокой чистоты для микроэлектоники. // Вісник Хар. Нац. Університету, №642 Серія фізична "Ядра, частки, поля" 2004, вып.3(25), с. 27-34.

  10. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, О.А. Даценко. Классификация поведения примесей в цинке, кадмии и теллуре при кристаллизации. // ВАНТ. Серия: "Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники", (14). 2004, №6, с. 16-20.

  11. Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань. Технологические приёмы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004. - № 6, с. 3-6.

  12. А.И. Кондрик. Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004. - № 6, с. 17-22.

  13. Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик. Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005. - № 3, с. 5-7.

  14. Г.П. Ковтун, А.И. Кондрик, А.П. Щербань. Влияние условий направленной кристаллизации на глубокую очистку металлов. //Вопросы атомной  науки и техники. Сер."Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники".- 2007. - № 4(16),   с. 19-23.

  15. А.И. Кравченко. Уравнение распределения примеси в твёрдом дистилляте //Неорганические материалы, 2007. T. 43. № 8, с. 1021-1022.

  16. A.I. Kravchenko. On combination of floating-zone recristallization with other purification methods // Functional Materials, 2007 - V. 14. - N. 2. -  P. 266-268.

  17. А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун. Сплавы на основе ванадия в термоядерной энергетике. // Вісник Хар. Нац. Університету, №823 Серія фізична "Ядра, частки, поля" 2008, вып. 3(39), с.4-24.

  18. Г.П. Ковтун Зонные технологи в материаловедении // Неорганическое материаловедение. Материалы и технологии. т.2., кн.1,  Киев, Наукова думка, 2008; с. 347-357.

  19. G.P. Kovtun, A.P. Shcherban', D.A. Solopikhin, V.G. Glebovsky. Production of high-purity metals. Proceedings of the 1st International Workshop Radiopure Scintillators for EURECA, RPScint' 2008. p.54-58.

  20. Р. Бернабей, В.Д. Вирич, Б.В. Гринев, Ф.А. Даневич, Г.П. Ковтун и др. Получение Cd и 106Cd высокой чистоты для сцинтилляторов CdWO4 и 106CdWO4 // Металлофизика и новейшие технологии, 2008, т. 30, спецвыпуск, с.477-486.

  21. G.P. Kovtun, A.P. Shcherban', D.A. Solopikhin, V.D. Virich, V.G. Glebovsky. Purification of cadmium and lead for low-background scintillators. Proceedings of the 1st International Workshop Radiopure Scintillators for EURECA, RPScint' 2008, p. 59-63.

  22. A.I. Кравченко. Дистилляция с вытягиванием дистиллята: новый способ рафинирования // Вопросы атомной науки и техники, 2008. № 1 Серия: "Вакуум, чистые мат., сверхпроводники" (17), - С. 18-19.

  23. В.Г. Глебовский, Г.П. Ковтун, Н.К. Ковтун, Е.Д. Штинов. Исследование процессов получения и особенностей свойств высокочистого вольфрама // Вісник Хар. Нац. університету, №845, Серія фізична "Ядра, частинки, поля", 2009, вип. 1 (41), с.67-70.

  24. А.И. Кравченко. Дистилляционное устройство. Патент Украины № 485 - Бюл. № 1, 2000 г.

  25. Г.П. Ковтун, О.П. Щербань. Пристрій для рафінування металів дистиляцією у вакуумі: Патент №1246, Україна, С22В9/04, C22B9/187, Бюл. № 5, 2002.

  26. Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, Ю.Є. Ніколаєнко. Спосіб одержання монокристалів арсеніду галію: Деклараційний патент №64602 А, Україна. Заявл. 15.07.2003 №2003076607. Бюл.№2, 2004.

  27. С.Б. Берінгов, Ю.Г. Шульга, Т.В. Власенко, Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, Ю.В. Горбенко. Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію. Патент на винахід №77874 Україна. Заявка № 200505239. Опубл. 15.01.2007, Бюл.№1.

  28. С.Ю. Ларкін, Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, О.І. Кравченко. Спосіб рафінування цинку: Патент № 4703, Україна, С22В9/04, С22В9/187, Бюл. № 1, 2005.

  29. С.Ю. Ларкін, Г.П. Ковтун, О.П. Щербань. Спосіб рафінування металів: Патент № 22541, Україна, С22В9/04, С22В9/187, Бюл. № 4, 2007.

  30. Г.П. Ковтун, О.І. Кравченко Спосіб рафінування галію. Деклараційний патент №22877 на корисну модель, Україна. Заявл. 28.12.2006. №200614026 Опубл. 25.04.2007.

  31. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Д.А. Солопихин, А.П. Свинаренко, В.Д. Вирич, Е.П. Кисиль, Л.И. Филлипович. Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. “Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники”. – 2008. – № 1(17 ). – C. 20–23.

  32. Г.П. Ковтун, А.И. Кондрик, О.А. Даценко, А.П. Щербань. Современные материалы для термоядерной энергетики. // Препринт ХФТИ, Харьков:ННЦ ХФТИ, 2008 . –88 с.

  33. Г.П. Ковтун, А.И. Кондрик. Сплавы на основе ванадия в термоядерной энергетике. // Вісник Хар. Нац. Університету, №823 Серія фізична “Ядра, частки, поля” 2008, вып.3(39), с.4-24.

  34. Г.П. Ковтун, Р. Бернабей, В.Д. Вирич, Б.В. Гринев, Ф.А. Даневич и др. Получение Cd и 106Cd высокой чистоты для сцинтилляторов CdWO4 и 106CdWO4. // Металлофиз. новешие технол, 2008, т. 30, спецвыпуск, с.477-486

  35. В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, Д.А. Солопихин, А.П. Щербань. Высокочистые металлы для микро- и наноэлектоники. // Перспективные материалы, 2008, №6, с. 33-37.

  36. Г.П. Ковтун, В.Г. Глебовский, Е.Д. Штинов, Н.С. Сидоров. Исследование процессов получения высокочистого вольфрама. // Перспективные материалы, 2008, №6, с. 38-40.

  37. В.М. Ажажа, В.Я.Свердлов, А.Н. Ладыгин, А.П. Щербань, А.В. Богуслаев, В.В. Клочихин. Процессы самоорганизации при формировании ячеистой структуры Ni-W сплавов. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - № 2, 2008, С. 88-97.

  38. Г.П. Ковтун, В.Г. Глебовский, Н.Г. Ковтун, Е.Д. Штинов. Исследование процессов получения и особенностей свойств высокочистого вольфрама.// Вісник Хар. Нац. Університету, №845 Серія фізична “Ядра, частки, поля”2009, вып.1(41, с.67-70.

  39. Кравченко А.И. Comparison of refining by distillation and crystallization.//Functional Materials, 2009-V. 16-N.1- P. 101-104.

  40. Г.П.Ковтун, А.А.Веревкин Наноматериалы: технологии и материалловедение// Препринт ХФТИ  Харьков: ННЦ ХФТИ, 2010.– 73с.

  41. Н.А. Азаренков, В.Н. Воеводин, Г.П. Ковтун, В.Г.Кириченко Наноструктурные материалы в ядерной энергетике// Вісник Хар. Нац. Університету, №887 Серія фізична “Ядра, частки, поля” 2010, вып.1(45), с.4-24.

  42. P. Belli, R. Bernabei, ... G.P. Kovtun, ... A.P. Shcherban, ... D.A. Solopikhin et al. Development of enriched 106CdWO4 crystal scintillators to search for double β decay processes in 106Cd // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 615 (2010) 301-306.

  43. R. S. Boiko , V. D. Virich , F. A. Danevich , T. I. Dovbush, S. S. Nagornyi, S. Nisi, A. I. Samchuk, G.P. Kovtun, D. A. Solopikhin , and A. P. Shcherban’, Ultrapurification of Archaeological Lead// INORGANIC MATERIALS, 2011, Vol. 47,  No. 6, р.645-648

  44. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Д.А.Солопихин, В.И. Зеленская, Ф.А. Даневич и др. Высокочистые материалы для разработки низкофоновых сцинтилляторов// Перспективные материалы, спецвыпуск, 2011, с. 1-6

  45. А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун Расчет эффективности сбора зарядов в датчиках ионизирующих излучений на основе GaAs, CdTe, CdZnTe// Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. Випуск 4/2011 (69). Частина 1. Нанотехнології та нові матеріали. С.82–85

  46. Ю.П. Бобров, В.Д. Вирич, Г.П. Ковтун и др. Рафинирование рутения методом электронно-лучевой плавки// Вопросы атомной науки и техники. Сер. “Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники”. – 2011. – № 6(76). – C. 11–17.

  47. Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, Д.О. Солопіхін Пристрій для рафінування металів у вакуумі// Патент на винахід № 94547. Україна Заявл. 21.06.2010 № а201007761 Опубл. 10.05.2011 Бюл. № 9, 2011

  48. A.S. Barabash, P. Belli, ... G.P. Kovtun, ... A.P. Shcherban, ... D.A. Solopikhin et al. Low background detector with enriched 116CdWO4 crystal scintillators to search for double β decay of 116Cd// JINST (Journal of Instrumentation) 06(2011)P08011, 24 p.

  49. А.И. Кондрик, О.А. Даценко, Г.П. Ковтун – Температурные поля в растущем кристалле «солнечного» кремния. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре (ТКЭА), 2012 г., №3, с.21-25

  50. А.И. Кондрик – Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучений с различной конфигурацией электродов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре (ТКЭА), 2012 г., №4, с. 47- 51.  

  51. А. И. Кондрик, Д. А. Солопихин, А. П. Щербань Рафинирование Cd и Zn от примесей внедрения при дистилляции с геттерным фильтром ZrFe // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, №5. – 2013. -   С. 31-36.

  52. P. Belli, R. Bernabei ... G.P. Kovtun, ... A.P. Shcherban, ... D.A. Solopikhin et al. First search for double -b decay of 184Os and 192Os.// European Physical Journal A. 2013, v.49, #24, p. 1-6.

  53. A. P. Shcherban, O. A. Datsenko, G. P. Kovtun. Construction of Solidus Lines of Binary Metal Systems Having a Low Solubility of Components in the Solid Phase. Open Journal of Metal, 2014, 4, 65-71. http://dx.doi.org/10.4236/ojmetal.2014.43008

 

Ãëàâíàÿ