Харьковский физико-технический институт / ИФТТМиТ /Отдел чистых металлов, металлофизики и технологии новых материалов

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКАЯ ЛАБОРАТОРИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

РАЗРАБОТКИ

Моделирование температурных условий выращивания монокристаллов,

 их электрофизических свойств, а также процессов рафинирования металлов

 С помощью компьютерного моделирования найден новый способ выращивания монокристаллов GaAs методом Киропулоса в тонком слое расплава

  Проведено количественное исследование технологических приёмов улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs и алюмоиттриевого граната в методе Чохральского

  Методом компьютерного моделирования исследованы электрофизические свойства GaAs, CdTe и CdZnTe в зависимости от содержания в них структурных несовершенств

  Расчетным путем определены коэффициенты разделения и распределения примесных элементов при дистилляции и кристаллизации металлов